K4T51163QI-HCE7
κατασκευαστής:
Ημιαγωγός Samsung
Περιγραφή:
512Mb B-die DDR2 SDRAM
Κατηγορία:
Ημιαγωγοί
Προδιαγραφές
πακέτο:
BGA
Κατηγορία προϊόντων:
Ηλεκτρονικά κυκλώματα με ημιαγωγούς - IC
Κατασκευαστής:
Ημιαγωγός Samsung
Εισαγωγή
Το K4T51163QI-HCE7, από την Samsung Semiconductor, είναι ημιαγωγούς- ολοκληρωμένα κυκλώματα - ICs. αυτό που προσφέρουμε έχουν ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά, τα οποία είναι σε πρωτότυπα και νέα εξαρτήματα.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να ζητήσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Συγγενικά προϊόντα
K4S561632H-UC75
SDRAM Product Guide
K4S511632D-UC75
DDP 512Mbit SDRAM 8M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
K4T1G164QE-HCF8
1Gb E-die DDR2 SDRAM
Κ9F1G08U0B-PCB0
128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory
Κ9F5608U0D-PIB0
32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K4S561632N-LC75
Κ9F1G08U0D-SCB0
128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory
Κ9WBG08U1M-PIB0
K9WAG08U1A-PIB0
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F2G08U0C-SIB0
2Gb C-die NAND Flash
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
K4S561632H-UC75 |
SDRAM Product Guide
|
|
|
|
K4S511632D-UC75 |
DDP 512Mbit SDRAM 8M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
|
|
|
|
K4T1G164QE-HCF8 |
1Gb E-die DDR2 SDRAM
|
|
|
|
Κ9F1G08U0B-PCB0 |
128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
Κ9F5608U0D-PIB0 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
K4S561632N-LC75 |
|
|
|
|
Κ9F1G08U0D-SCB0 |
128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
Κ9WBG08U1M-PIB0 |
|
|
|
|
K9WAG08U1A-PIB0 |
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
K9F2G08U0C-SIB0 |
2Gb C-die NAND Flash
|
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: