IXGH16N170
κατασκευαστής:
ΙΧΥΣ
Κατηγορία:
Ημιαγωγοί
Προδιαγραφές
Ρεύμα διαρροής πύλη-εκπομπών:
NA 100
Κατηγορία προϊόντων:
Τρανζίστορ IGBT
Στυλ εγκατάστασης:
Μέσα από την τρύπα
Συνεχές ρεύμα συλλεκτών σε 25 Γ:
32 Α
Pd - Δυναμική διάσπαση:
190 W
Τάση VCEO Max εκπομπών συλλεκτών:
1,7 kV
Πακέτο / Κουτί:
ΤΟ-247-3
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας:
+ 150 C
Μέγιστη τάση εκπομπών πυλών:
+/- 20 Β
συσκευασία:
Τύπος
Διαμόρφωση:
Μονό
Τάση κορεσμού συλλέκτης-εκπομπών:
2.7 Β
Κατασκευαστής:
IXYS
Εισαγωγή
Το IXGH16N170, από το IXYS, είναι IGBT Transistors. Αυτό που προσφέρουμε έχουν ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά, τα οποία είναι σε πρωτότυπα και νέα μέρη.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να εφαρμόσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Συγγενικά προϊόντα
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: