Προδιαγραφές
Ρεύμα διαρροής πύλη-εκπομπών:
+/- 250 nA
Κατηγορία προϊόντων:
Τρανζίστορ IGBT
Στυλ εγκατάστασης:
Μέσα από την τρύπα
Συνεχές ρεύμα συλλεκτών σε 25 Γ:
70 Α
Pd - Δυναμική διάσπαση:
290 W
Τάση VCEO Max εκπομπών συλλεκτών:
600 V
Πακέτο / Κουτί:
ΤΟ-247-3
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας:
+ 150 C
Μέγιστη τάση εκπομπών πυλών:
+/- 20 Β
συσκευασία:
Τύπος
Διαμόρφωση:
Μονό
Τάση κορεσμού συλλέκτης-εκπομπών:
1.8 Β
Κατασκευαστής:
Ημιαγωγός Fairchild
Εισαγωγή
Το HGTG20N60A4D, από την Fairchild Semiconductor, είναι IGBT Transistors. Αυτό που προσφέρουμε έχει ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά, τα οποία είναι σε πρωτότυπα και νέα μέρη.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να ζητήσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Συγγενικά προϊόντα

FGA20N120FTDTU
IGBT Transistors 1200V N-Chan Trench

FGH60N60SMD
IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2

FGL40N120ANTU
IGBT Transistors 1200V NPT IGBT

FGH60N60UFDTU

FGH75T65UPD

FGH40N60SMDF
Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
---|---|---|---|
![]() |
FGA20N120FTDTU |
IGBT Transistors 1200V N-Chan Trench
|
|
![]() |
FGH60N60SMD |
IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
|
|
![]() |
FGL40N120ANTU |
IGBT Transistors 1200V NPT IGBT
|
|
![]() |
FGH60N60UFDTU |
|
|
![]() |
FGH75T65UPD |
|
|
![]() |
FGH40N60SMDF |
|
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: