ΤC58NYG0S3HBAI6
κατασκευαστής:
Τόσιμπα
Περιγραφή:
EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS και NAND EEPROM
Κατηγορία:
Ημιαγωγοί
Προδιαγραφές
Ρεύμα ανεφοδιασμού - Max:
30 mA
Κατηγορία προϊόντων:
EEPROM
Στυλ εγκατάστασης:
Δοκιμαστική συσκευή
Οργάνωση:
128 Μ Χ 8
Πακέτο / Κουτί:
Επικαιροποιημένα συστήματα
Μέγεθος μνήμης:
1 Gbit
συσκευασία:
Τραπέζι
Σειρά:
TC58NYG0S3
Τύπος διεπαφής:
Παράλληλο
Μέγιστη συχνότητα ρολογιού:
-
Κατασκευαστής:
Τόσιμπα
Εισαγωγή
Το TC58NYG0S3HBAI6, από την Toshiba, είναι EEPROM. Αυτό που προσφέρουμε έχει ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά,που είναι σε πρωτότυπα και νέα εξαρτήματα.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να εφαρμόσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Συγγενικά προϊόντα
TC58NVG0S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58BVG0S3HTA00
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58BVG2S0HTA00
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NVG1S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
ΤC58BVG1S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NVG1S3HBAI4
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
ΤC58NVG2S0HBAI4
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58BVG0S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NVG1S3HTA00
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
ΤC58BVG1S3HTA00
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
TC58NVG0S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58BVG0S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58BVG2S0HTA00 |
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58NVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
ΤC58BVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58NVG1S3HBAI4 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
ΤC58NVG2S0HBAI4 |
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58BVG0S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58NVG1S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
ΤC58BVG1S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: