QPD1015L
Προδιαγραφές
Πολικότητα κρυσταλλολυχνιών:
N-Κανάλι
Τεχνολογία:
GaN SiC
Κατηγορία προϊόντων:
Τρανζίστορες RF JFET
Στυλ εγκατάστασης:
Γύρισμα
Κέρδος:
20 DB
Τύπος τρανζίστορα:
HEMT
Δύναμη εξόδου:
70 W
Πακέτο / Κουτί:
ΝΙ-360
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας:
+ 85 C
Vds - τάση διακοπής αγωγός-πηγής:
50 V
συσκευασία:
Τραπέζι
Ταυτότητα - συνεχές ρεύμα αγωγών:
2.5 Α
Vgs - τάση διακοπής πύλης πύλης:
145 Β
Pd - Δυναμική διάσπαση:
64 W
Κατασκευαστής:
Qorvo
Εισαγωγή
Το QPD1015L, από την Qorvo, είναι RF JFET τρανζίστορ. Αυτό που προσφέρουμε έχει ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά, τα οποία είναι σε πρωτότυπα και νέα μέρη.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να εφαρμόσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Related Products

Τ2G6000528-Q3
RF JFET Transistors DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz

TGF2978-SM
RF JFET Transistors 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB

Τ2G6001528-SG
RF JFET Transistors DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN

QPD3601
RF JFET Transistors 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN

Διάταξη TGF3015-SM
RF JFET Transistors .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN

QPD1000
RF JFET Transistors 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN

TGF2953
RF JFET Transistors DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
---|---|---|---|
![]() |
Τ2G6000528-Q3 |
RF JFET Transistors DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
|
|
![]() |
TGF2978-SM |
RF JFET Transistors 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
|
|
![]() |
Τ2G6001528-SG |
RF JFET Transistors DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
|
|
![]() |
QPD3601 |
RF JFET Transistors 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN
|
|
![]() |
Διάταξη TGF3015-SM |
RF JFET Transistors .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
|
|
![]() |
QPD1000 |
RF JFET Transistors 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
|
|
![]() |
TGF2953 |
RF JFET Transistors DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
|
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: