SIS412DN-T1-GE3
κατασκευαστής:
Vishay Ημιαγωγούς
Περιγραφή:
MOSFET 30V 12A 15,6W
Κατηγορία:
Ημιαγωγοί
Προδιαγραφές
συσκευασία:
Ρολ
Τεχνολογία:
Si
Κατηγορία προϊόντων:
MOSFET
Φίρμα:
TrenchFET
Κατασκευαστής:
Vishay ημιαγωγούς
Εισαγωγή
Το SIS412DN-T1-GE3,από την Vishay Semiconductors,είναι MOSFET.Αυτό που προσφέρουμε έχει ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά,που είναι σε πρωτότυπα και νέα μέρη.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να εφαρμόσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Related Products
ΣΥ2312BDS-T1-E3
MOSFET N-Channel 20V 3.9A
Si1022R-T1-GE3
MOSFET 60V 330mA 250mW 1.25ohm @ 10V
SUM110P08-11L-E3
MOSFET 80V 110A 375W
ΣΥΡΙΖΑ:
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
Si4559ady-T1-GE3
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V
IRFPS37N50APBF
MOSFET N-Chan 500V 36 Amp
Si4946bey-T1-E3
MOSFET 60V 6.5A 3.7W
SIR462DP-T1-GE3
MOSFET 30V 30A 41.7W 7.9mohm @ 10V
Si4435ddy-T1-GE3
MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V
ΣΥ2333DS-T1-E3
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
ΣΥ2312BDS-T1-E3 |
MOSFET N-Channel 20V 3.9A
|
|
|
|
Si1022R-T1-GE3 |
MOSFET 60V 330mA 250mW 1.25ohm @ 10V
|
|
|
|
SUM110P08-11L-E3 |
MOSFET 80V 110A 375W
|
|
|
|
ΣΥΡΙΖΑ: |
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
|
|
|
|
Si4559ady-T1-GE3 |
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V
|
|
|
|
IRFPS37N50APBF |
MOSFET N-Chan 500V 36 Amp
|
|
|
|
Si4946bey-T1-E3 |
MOSFET 60V 6.5A 3.7W
|
|
|
|
SIR462DP-T1-GE3 |
MOSFET 30V 30A 41.7W 7.9mohm @ 10V
|
|
|
|
Si4435ddy-T1-GE3 |
MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V
|
|
|
|
ΣΥ2333DS-T1-E3 |
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
|
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: