ΣΤΜ3J328R
Προδιαγραφές
Πολικότητα κρυσταλλολυχνιών:
P-Channel
Τεχνολογία:
Si
Κατηγορία προϊόντων:
MOSFET
Στυλ εγκατάστασης:
Δοκιμαστική συσκευή
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας:
- 55 Γ
Πακέτο / Κουτί:
SOT-23-3
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας:
+ 150 C
Vds - τάση διακοπής αγωγός-πηγής:
- 20 Β
συσκευασία:
Ρολ
Θόριο Vgs - τάση κατώτατων ορίων πύλη-πηγής:
- 1 V
Ταυτότητα - συνεχές ρεύμα αγωγών:
- 6 Α
RDS επάνω - αντίσταση αγωγός-πηγής:
470,4 μΩμ
Αριθμός καναλιών:
1 κανάλι
Vgs - τάση πύλη-πηγής:
8 V
Qg - δαπάνη πυλών:
12.8 nC
Κατασκευαστής:
Τόσιμπα
Εισαγωγή
Το SSM3J328R,από την Toshiba,είναι MOSFET.Αυτό που προσφέρουμε έχει ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά,που είναι σε πρωτότυπα και νέα εξαρτήματα.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να εφαρμόσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Related Products

TK20A60U
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS

TK4P60DB
MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm

2SA1244-Y
Silicon PNP Power Transistors

TK12A60D
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS

TPH1400ANH,L1Q
MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC

TPH4R50ANH
MOSFET U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET

TK10A60D
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS

2SK3878
Switching Regulator Applications
Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
---|---|---|---|
![]() |
TK20A60U |
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS
|
|
![]() |
TK4P60DB |
MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm
|
|
![]() |
2SA1244-Y |
Silicon PNP Power Transistors
|
|
![]() |
TK12A60D |
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS
|
|
![]() |
TPH1400ANH,L1Q |
MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
|
|
![]() |
TPH4R50ANH |
MOSFET U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET
|
|
![]() |
TK10A60D |
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
|
|
![]() |
2SK3878 |
Switching Regulator Applications
|
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: