FDMS8460
κατασκευαστής:
Ημιαγωγός Fairchild
Περιγραφή:
MOSFET 40V N-Channel Power Trench
Κατηγορία:
Ημιαγωγοί
Προδιαγραφές
Πολικότητα κρυσταλλολυχνιών:
N-Κανάλι
Τεχνολογία:
Si
Ταυτότητα - συνεχές ρεύμα αγωγών:
25 Α
Στυλ εγκατάστασης:
Δοκιμαστική συσκευή
Φίρμα:
PowerTrench
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας:
- 55 Γ
Πακέτο / Κουτί:
Δύναμη 56-8
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας:
+ 150 C
Τρόπος καναλιών:
Αύξηση
Vds - τάση διακοπής αγωγός-πηγής:
40 V
συσκευασία:
Ρολ
Κατηγορία προϊόντων:
MOSFET
Αριθμός καναλιών:
1 κανάλι
Vgs - τάση πύλη-πηγής:
20 V
RDS επάνω - αντίσταση αγωγός-πηγής:
2.2 mOhms
Κατασκευαστής:
Ημιαγωγός Fairchild
Εισαγωγή
Το FDMS8460, από την Fairchild Semiconductor, είναι MOSFET.Αυτό που προσφέρουμε έχει ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά,που είναι σε πρωτότυπα και νέα εξαρτήματα.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να εφαρμόσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Συγγενικά προϊόντα
FDP3632
MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
NDS9948
MOSFET Dual PCh PowerTrench
FQB30N06LTM
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
BSS138K
MOSFET 50V NCh Logic Level Enhancement Mode FET
FQB34P10TM
MOSFET 100V P-Channel QFET
FQP14N30
MOSFET 300V N-Channel QFET
FQPF2N60C
MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET
FDPF10N60NZ
MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
FDMS3500
MOSFET 75V N-Channel PowerTrench
FDMS86200
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
FDP3632 |
MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
|
|
|
|
NDS9948 |
MOSFET Dual PCh PowerTrench
|
|
|
|
FQB30N06LTM |
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
|
|
|
|
BSS138K |
MOSFET 50V NCh Logic Level Enhancement Mode FET
|
|
|
|
FQB34P10TM |
MOSFET 100V P-Channel QFET
|
|
|
|
FQP14N30 |
MOSFET 300V N-Channel QFET
|
|
|
|
FQPF2N60C |
MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET
|
|
|
|
FDPF10N60NZ |
MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
|
|
|
|
FDMS3500 |
MOSFET 75V N-Channel PowerTrench
|
|
|
|
FDMS86200 |
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
|
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: