ΙΧΤΤ110N10L2
κατασκευαστής:
ΙΧΥΣ
Περιγραφή:
MOSFET Γραμμικό εκτεταμένο FBSOA MOSFET ισχύος
Κατηγορία:
Ημιαγωγοί
Προδιαγραφές
Πολικότητα κρυσταλλολυχνιών:
N-Κανάλι
Τεχνολογία:
Si
Ταυτότητα - συνεχές ρεύμα αγωγών:
110 Α
Στυλ εγκατάστασης:
Δοκιμαστική συσκευή
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας:
- 55 Γ
Πακέτο / Κουτί:
-268-3
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας:
+ 150 C
Τρόπος καναλιών:
Αύξηση
Vds - τάση διακοπής αγωγός-πηγής:
100 V
συσκευασία:
Τύπος
Θόριο Vgs - τάση κατώτατων ορίων πύλη-πηγής:
2,5 V
Κατηγορία προϊόντων:
MOSFET
RDS επάνω - αντίσταση αγωγός-πηγής:
18 mOhms
Αριθμός καναλιών:
1 κανάλι
Qg - δαπάνη πυλών:
nC 260
Κατασκευαστής:
IXYS
Εισαγωγή
Το IXTT110N10L2,από το IXYS,είναι MOSFET.Αυτό που προσφέρουμε έχει ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά,που είναι σε πρωτότυπα και νέα μέρη.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να εφαρμόσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Related Products
IXFR64N60Q3
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
ΙΧΤΤ20Ν50Δ
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
IXFK200N10P
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
IXTQ50N25T
MOSFET 50Amps 250V
IXFP34N65X2
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
ΙΧFH36N60P
MOSFET 600V 36A
ΙΧFK100N65X2
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
IXFK44N80P
MOSFET 44 Amps 800V
ΙΧFN520N075T2
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
IXFH23N80Q
MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
IXFR64N60Q3 |
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
|
|
|
|
ΙΧΤΤ20Ν50Δ |
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
|
|
|
|
IXFK200N10P |
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
|
|
|
|
IXTQ50N25T |
MOSFET 50Amps 250V
|
|
|
|
IXFP34N65X2 |
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
|
|
|
|
ΙΧFH36N60P |
MOSFET 600V 36A
|
|
|
|
ΙΧFK100N65X2 |
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
|
|
|
|
IXFK44N80P |
MOSFET 44 Amps 800V
|
|
|
|
ΙΧFN520N075T2 |
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
|
|
|
|
IXFH23N80Q |
MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds
|
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: