ΙΧXN110N65C4H1
κατασκευαστής:
ΙΧΥΣ
Περιγραφή:
Δοκιμαστική μονάδα IGBT MOD 650V 210A 750W SOT227B
Κατηγορία:
Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών
Προδιαγραφές
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
IGBTs
IGBT Modules
Current - Collector (Ic) (Max):
210 A
Product Status:
Active
Mounting Type:
Chassis Mount
Package:
Tube
Series:
XPT™, GenX4™
Package / Case:
SOT-227-4, miniBLOC
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
2.35V @ 15V, 110A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
650 V
Supplier Device Package:
SOT-227B
Mfr:
IXYS
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max):
50 µA
IGBT Type:
PT
Power - Max:
750 W
Input:
Standard
Δυνατότητα εισόδου (Cies) @ Vce:
30,69 nF @ 25 V
Configuration:
Single
Θερμοστήρας NTC:
ΟΧΙ
Base Product Number:
IXXN110
Εισαγωγή
Μονάδα IGBT PT Μονάδα 650 V 210 A 750 W Σασί Mount SOT-227B
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: