Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών > Δελτίο ΕΚΑΧ της 10ης Ιουνίου 2006.

Δελτίο ΕΚΑΧ της 10ης Ιουνίου 2006.

κατασκευαστής:
ΟΝΣΕΜΙ
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Κατηγορία:
Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών
Προδιαγραφές
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
100 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
7.5mOhm @ 100A, 10V
Τύπος FET:
N-Κανάλι
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Πακέτο:
Τύπος
Drain to Source Voltage (Vdss):
150 V
Vgs (μέγιστο):
±20V
Product Status:
Active
Δυνατότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:
7350 pF @ 75 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
PowerTrench®
Supplier Device Package:
TO-220-3
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
130A (Tc)
Power Dissipation (Max):
333W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FDP075
Εισαγωγή
Διάδρομος N 150 V 130A (Tc) 333W (Tc) Μέσα από τρύπα TO-220-3
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: