IRF510PBF
κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Κατηγορία:
Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών
Προδιαγραφές
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Πακέτο / Κουτί:
ΤΟ-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
8.3 nC @ 10 V
Επικεφαλής (Max) @ Id, Vgs:
540mOhm @ 3.4A, 10V
FET Type:
N-Channel
Τετάρτη, 15 Ιανουαρίου 2019:
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
180 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-220AB
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
5.6A (Tc)
Power Dissipation (Max):
43W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRF510
Εισαγωγή
N-Κανάλι 100 V 5.6A (Tc) 43W (Tc) Μέσα από τρύπα TO-220AB
Συγγενικά προϊόντα
2N7002E-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
SIR872ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
ΣΥ7148DP-T1-E3
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
ΣΥ7157DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
IRFP21N60LPBF
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
SIR880ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SIR873DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
ΣΥΡΙΖΑ:
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
ΣΥΣΑ72DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
2N7002E-T1-E3 |
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
|
|
|
|
SIR872ADP-T1-RE3 |
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
|
|
|
|
ΣΥ7148DP-T1-E3 |
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
|
|
|
|
ΣΥ7157DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
|
|
|
|
IRFP21N60LPBF |
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
|
|
|
|
SIR880ADP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
|
|
|
|
SIR873DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
|
|
|
|
ΣΥΡΙΖΑ: |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
|
|
|
|
SUD50N04-8M8P-4GE3 |
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
|
|
|
|
ΣΥΣΑ72DN-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
|
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: