Να στείλετε μήνυμα

Ρ6076ENZ4C13

κατασκευαστής:
Ημιαγωγός Rohm
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 76A TO247
Κατηγορία:
Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών
Προδιαγραφές
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 1mA
Operating Temperature:
150°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
260 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
42mOhm @ 44.4A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
600 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
6500 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-247
Mfr:
Rohm Semiconductor
ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C:
76A (Tc)
Power Dissipation (Max):
735W (Tc)
Τεχνολογία:
MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Base Product Number:
R6076
Εισαγωγή
Διάδρομος N 600 V 76A (Tc) 735W (Tc) Μέσα από τρύπα TO-247
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: