Να στείλετε μήνυμα

ΣΥ4850EY-T1-GE3

κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Κατηγορία:
Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών
Προδιαγραφές
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
27 nC @ 10 V
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Series:
TrenchFET®
Vgs (Max):
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Supplier Device Package:
8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
22mOhm @ 6A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Power Dissipation (Max):
1.7W (Ta)
Package / Case:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
6A (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Αριθμός βασικού προϊόντος:
SI4850
Εισαγωγή
Διάδρομος N 60 V 6A (Ta) 1.7W (Ta) Επιφανειακή τοποθέτηση 8-SOIC
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: