Δελτίο ΕΚΑΧ της 10ης Ιουλίου 2014.
Προδιαγραφές
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
138 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4.7mOhm @ 80A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
6V, 10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
75 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Not For New Designs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
6600 pF @ 25 V
Τύπος στερέωσης:
Μέσα από την τρύπα
Series:
PowerTrench®
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή:
ΤΟ-220-3
Mfr:
onsemi
ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C:
15A (TC)
Power Dissipation (Max):
310W (Tc)
Τεχνολογία:
MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Base Product Number:
FDP047
Εισαγωγή
N-Κανάλι 75 V 15A (Tc) 310W (Tc) Μέσα από τρύπα TO-220-3
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: