Να στείλετε μήνυμα

MSC080SMA120B

κατασκευαστής:
Τεχνολογία μικροτσίπ
Περιγραφή:
SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3
Κατηγορία:
Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών
Προδιαγραφές
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.8V @ 1mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
64 nC @ 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
100mOhm @ 15A, 20V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
20V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
1200 V
Vgs (Max):
+23V, -10V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
838 pF @ 1000 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-247-3
Mfr:
Microchip Technology
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
37A (Tc)
Power Dissipation (Max):
200W (Tc)
Τεχνολογία:
SiCFET (καρβίδιο του πυριτίου)
Αριθμός βασικού προϊόντος:
MSC080
Εισαγωγή
N-Κανάλι 1200 V 37A (Tc) 200W (Tc) Μέσα από τρύπα TO-247-3
Related Products
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: