Να στείλετε μήνυμα

IXFH12N90

κατασκευαστής:
ΙΧΥΣ
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
Κατηγορία:
Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών
Προδιαγραφές
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 4mA
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Τεχνική διάταξη:
155 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
900mOhm @ 6A, 10V
Τύπος FET:
N-Κανάλι
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
900 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
4200 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HiPerFET™
Supplier Device Package:
TO-247AD (IXFH)
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
12A (Tc)
Power Dissipation (Max):
300W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFH12
Εισαγωγή
Διάδρομος N 900 V 12A (Tc) 300W (Tc) μέσω τρύπας TO-247AD (IXFH)
Συγγενικά προϊόντα
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: