SPD07N60S5
κατασκευαστής:
Ινφίνιον Τεχνολογίες
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Κατηγορία:
Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών
Προδιαγραφές
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.5V @ 350µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
35 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
600mOhm @ 4.6A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss):
600 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Obsolete
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
970 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
CoolMOS™
Supplier Device Package:
PG-TO252-3-11
Mfr:
Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
7.3A (Tc)
Power Dissipation (Max):
83W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SPD07N
Εισαγωγή
Ν. Διάδρομος 600 V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Επιφανειακή επιφάνεια PG-TO252-3-11
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: