Επεκτάσεις / Κύπρος
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | κατασκευαστής | Απόθεμα | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
MB3771PF-G-BND-JN-EFE1 |
Παρακολούθηση τροφοδοσίας ηλεκτρικής ενέργειας των κυκλωμάτων ελέγχου
|
|
|
|
|
|
|
MB3773PF-G-BND-JN-ERE1 |
Ελεγκτικά κυκλώματα PWR τροφοδοσία Monitor w/watch-dog timer
|
|
|
|
|
|
|
MB3771PF-G-BND-JN-ERE1 |
Παρακολούθηση τροφοδοσίας ηλεκτρικής ενέργειας των κυκλωμάτων ελέγχου
|
|
|
|
|
|
|
S29GL256N11TFI010 |
3.0 Φλας μνήμη σε λειτουργία σελίδας μόνον Volt με τεχνολογία διαδικασίας MirrorBitTM 110 nm
|
|
|
|
|
|
|
S29JL032H70TFI010 |
32M BIT CMOS 3,0V μνήμη flash
|
|
|
|
|
|
|
S34ML01G100TFI000 |
Λάμψη NAND αστραπιαίας σκέψης 1Gb 3V 25ns
|
|
|
|
|
|
|
S25FL127SABBHIC00 |
Η μνήμη flash 128MB 3V 108MHz Serial NOR Flash
|
|
|
|
|
|
|
S29WS512P0SBFW000 |
Παράλληλος ΟΎΤΕ λάμψη αστραπιαίας σκέψης 512Mb 1.8V 80Mhz
|
|
|
|
|
|
|
S29WS256P0PBFW000 |
Μνήμη Flash 256Mb 1.8V 66Mhz Παράλληλη ΟΥΤΕ Flash
|
|
|
|
|
|
|
S34MS04G100BHI000 |
Flash Memory 4G, 1.8V, 45ns NAND Flash
|
|
|
|
|
|
|
S34MS01G100BHI000 |
Φλας μνήμης 1G, 1.8V, 45ns NAND Flash
|
|
|
|
|
|
|
S34ML04G200TFI003 |
Αστραπιαία σκέψη 4G, 3V, λάμψη NAND 25ns
|
|
|
|
|
|
|
S25FL064P0XMFI003 |
Αστραπιαία σκέψη 64M παρουσίαση σε συνέχειες ΟΎΤΕ λάμψη CMOS 3V 104MHZ
|
|
|
|
|
|
|
S29GL032N11TFIV20 |
Μνήμη flash 32MB 2.7-3.6V 110ns Παράλληλη ή μη μνήμη flash
|
|
|
|
|
|
|
S29GL032N90FFI020 |
Παράλληλος ΟΎΤΕ λάμψη αστραπιαίας σκέψης 32MB 2.7-3.6V 90ns
|
|
|
|
|
|
|
S25FL032P0XNFI011 |
Flash Memory 4M CMOS 3V 50MHZ Serial NOR Flash
|
|
|
|
|
|
|
S34MS02G200BHI000 |
Μνήμη Flash 4-BIT ECC, X8 I/O ΚΑΙ 1,8V VCC
|
|
|
|
|
|
|
S29GL128N10TFI02 |
3.0 Φλας μνήμη σε λειτουργία σελίδας μόνον Volt με τεχνολογία διαδικασίας MirrorBitTM 110 nm
|
|
|
|
|
|
|
S29AL032D90TAI040 |
32 Megabit CMOS 3.0 Volt Flash μνήμη μόνο
|
|
|
|
1