Φίλτρα
Φίλτρα
Τρανζίστορ
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | κατασκευαστής | Απόθεμα | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS86263P |
MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NVMFS5113PLT1G |
MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
Ειδικότερα: |
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
IRF740PBF |
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
Si2305cds-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
Ειδικότερα, οι εν λόγω διατάξεις ισχύουν για τα οχήματα με κινητήρα. |
SOT-23, MOSFET
|
Πάντζιτ Διεθνής Ινκ.
|
|
|
|
|
|
SIR422DP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
SSM3J328R, LF |
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
|
Toshiba Ημιαγωγούς και Αποθήκευση
|
|
|
|
|
|
DMN2058UW-7 |
MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323
|
Διακόσμιοι ενσωματωμένοι
|
|
|
|
|
|
DMN2400UFB-7 |
MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
|
Διακόσμιοι ενσωματωμένοι
|
|
|
|
|
|
NX7002AK,215 |
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
SIR681DP-T1-RE3 |
MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF820PBF |
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
SIA456DJ-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
ΣΥ7461DP-T1-GE3 |
MOSFET π-CH 60V 8.6A PPAK έτσι-8
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
bss84 |
MOSFET Π-CH 50V 130MA SOT23-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
ΣΥ2319DDS-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
BUK7M33-60EX |
Δοκιμαστική μονάδα
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
PMXB120EPEZ |
MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
PMV250EPEAR |
MOSFET P-CH 40V 1.5A έως 236AB
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
RK7002BMHZGT116 |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
Ημιαγωγός Rohm
|
|
|
|
|
|
ΣΥ7461DP-T1-E3 |
MOSFET π-CH 60V 8.6A PPAK έτσι-8
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
ΣΥ7137DP-T1-GE3 |
Δοκιμαστικό υλικό
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
ΣΤ3458BDV-T1-GE3 |
Δοκιμαστική μονάδα
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
PMV37ENEAR |
MOSFET N-CH 60V 3.5A έως 236AB
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
PMV40UN2R |
MOSFET N-CH 30V 3.7A έως 236AB
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
PMV20ENR |
Ειδικότερα, η μέθοδος αυτή δεν μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την παραγωγή ηλεκτρικών συσσωρευτών.
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
DMG1013T-7 |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
Διακόσμιοι ενσωματωμένοι
|
|
|
|
|
|
LMN400E01-7 |
Εναλλακτικός διακόπτης φορτίου MCU 400MA SOT-363
|
Διακόσμιοι ενσωματωμένοι
|
|
|
|
|
|
2SK932-22-TB-E |
JFET N-CH 50MA SMCP
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
2N5457 |
JFET N-CH 25V TO92-3
|
Κεντρική Ημιαγωγός
|
|
|
|
|
|
2SK2394-7-TB-E |
JFET N-CH 50MA 3CP
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
ΜΜΒΦJ177 |
Δοκιμαστική μονάδα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
2SK3666-3-TB-E |
JFET N-CH 10MA SMCP
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
J201 |
JFET N-CH 40V TO92-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
2SK932-23-TB-E |
JFET N-CH 50MA SMCP
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
ΜΜΒF4392LT1G |
Δοκιμαστική μονάδα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
MMBFJ177LT1G |
Δοκιμαστική μονάδα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
2SK932-24-TB-E |
JFET N-CH 50MA SMCP
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
MMBFJ201 |
Δελτίο ΕΚΑΧ, αριθ.
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
2N5458 |
JFET Ν-CH 25V TO92
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
2SC5338-T1-AZ |
Ραδιοφωνική μετάδοση NPN 12V 6GHz SOT89
|
CEL
|
|
|
|
|
|
2SC4226-T1-A |
Ραδιοφωνική μετάδοση NPN 12V 4.5GHz SOT323
|
CEL
|
|
|
|
|
|
2SC3357-T1-A |
Ραδιοφωνική μετάδοση NPN 12V 6,5GHz SOT89
|
CEL
|
|
|
|
|
|
MRF5812GR1 |
Ραδιοφωνική μετάδοση NPN 15V 5GHz 8SO
|
Εταιρεία Microsemi
|
|
|
|
|
|
BF199 |
Επικοινωνία με ακτινοβολία
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
HFA3046BZ |
Ραδιοφωνική μετάδοση 5 NPN 12V 8GHz 14SOIC
|
Η Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
SLA4070 |
ΤΡΑΝΣ 4PNP DARL 100V 5A 12SIP
|
Η Sanken Electric USA Inc.
|
|
|
|
|
|
SLA4031 |
ΤΡΑΝΣ 4NPN DARL 120V 4A 12SIP
|
Η Sanken Electric USA Inc.
|
|
|
|
|
|
STA413A |
ΤΡΑΝΣ 4NPN 35V 3A 10-SIP
|
Η Sanken Electric USA Inc.
|
|
|