Φίλτρα
Φίλτρα
FET, MOSFETs
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | κατασκευαστής | Απόθεμα | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
ΣΥ7461DP-T1-GE3 |
MOSFET π-CH 60V 8.6A PPAK έτσι-8
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
bss84 |
MOSFET Π-CH 50V 130MA SOT23-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
ΣΥ2319DDS-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
BUK7M33-60EX |
Δοκιμαστική μονάδα
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
PMXB120EPEZ |
MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
PMV250EPEAR |
MOSFET P-CH 40V 1.5A έως 236AB
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
RK7002BMHZGT116 |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
Ημιαγωγός Rohm
|
|
|
|
|
|
ΣΥ7461DP-T1-E3 |
MOSFET π-CH 60V 8.6A PPAK έτσι-8
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
ΣΥ7137DP-T1-GE3 |
Δοκιμαστικό υλικό
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
ΣΤ3458BDV-T1-GE3 |
Δοκιμαστική μονάδα
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
PMV37ENEAR |
MOSFET N-CH 60V 3.5A έως 236AB
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
PMV40UN2R |
MOSFET N-CH 30V 3.7A έως 236AB
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
PMV20ENR |
Ειδικότερα, η μέθοδος αυτή δεν μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την παραγωγή ηλεκτρικών συσσωρευτών.
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
DMG1013T-7 |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
Διακόσμιοι ενσωματωμένοι
|
|
|
|
|
|
MRF8P20140WHSR3 |
FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S-4
|
NXP USA Inc.
|
|
|
|
|
|
MRF8P9040NR1 |
Ραδιοφωνικό MOSFET LDMOS DL 28V TO272-4
|
NXP USA Inc.
|
|
|
|
|
|
MRF9045LR1 |
FET RF 65V 945MHZ NI-360
|
NXP USA Inc.
|
|
|
|
|
|
MRF6S19100HR3 |
FET RF 68V 1.99GHz NI-780
|
NXP USA Inc.
|
|
|
|
|
|
MRF7S15100HR3 |
FET RF 65V 1,51GHz NI780
|
NXP USA Inc.
|
|
|
|
|
|
Δελτίο ΕΚΑΧ της 10ης Ιουλίου 2006. |
FET RF 66V 880MHZ NI-780
|
NXP USA Inc.
|
|
|
|
|
|
MMBF4416 |
Ραδιοφωνικό MOSFET N-CH JFET 15V SOT23-3
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
MRF282ZR1 |
FET RF 65V 2GHZ ΝΙ-200Z
|
NXP USA Inc.
|
|
|
|
|
|
MRF6VP3450HR6 |
FET RF 2CH 110V 860MHZ ΝΙ-1230
|
NXP USA Inc.
|
|
|
|
|
|
MRF6V2300NR1 |
FET RF 110V 220MHZ -270-4
|
NXP USA Inc.
|
|
|
|
|
|
MRF1517NT1 |
FET RF 25V 520MHZ PLD-1,5
|
NXP USA Inc.
|
|
|
|
|
|
MRF1513NT1 |
FET RF 40V 520MHZ PLD-1,5
|
NXP USA Inc.
|
|
|
|
|
|
PD84001 |
FET RF 18V 870 MHz
|
STMικροηλεκτρονική
|
|
|
|
|
|
PD85004 |
FET RF 40V 870MHZ
|
STMικροηλεκτρονική
|
|
|
|
|
|
MRF1511NT1 |
FET RF 40V 175MHZ PLD-1.5
|
NXP USA Inc.
|
|
|
|
|
|
MRFE6S9045NR1 |
FET RF 66V 880MHZ -270-2
|
NXP USA Inc.
|
|
|
|
|
|
MRF1518NT1 |
FET RF 40V 520MHZ PLD-1,5
|
NXP USA Inc.
|
|
|
|
|
|
MRF8P29300HR6 |
FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230
|
NXP USA Inc.
|
|
|
|
|
|
DU28200M |
ΤΡΑΝΣΙΣΤΟΡ, MOSFET, 200W, 28V, 2-175
|
Η MACOM Technology Solutions
|
|
|
|
|
|
Ne3515s02-t1c-α |
Υπερ χαμηλός θόρυβος ψευδομορφικός HJ
|
CEL
|
|
|
|
|
|
Pd55003-ε |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
|
STMικροηλεκτρονική
|
|
|
|
|
|
MRFE6VP61K25HR5 |
FET RF 2CH 133V 230MHZ ΝΙ-1230
|
NXP USA Inc.
|
|
|
|
|
|
VRF2933MP |
Ραδιοφωνικό MOSFET N-CHANNEL 50V M177
|
Τεχνολογία μικροτσίπ
|
|
|
|
|
|
VRF151 |
MOSFET RF PWR Ν-CH 50V 150W M174
|
Τεχνολογία μικροτσίπ
|
|
|
|
|
|
MRFE6VP5600HR6 |
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
|
NXP USA Inc.
|
|
|
|
|
|
MW6S010NR1 |
FET RF 68V 960MHZ TO270-2
|
NXP USA Inc.
|
|
|
|
|
|
MRF6VP3450HR5 |
FET RF 2CH 110V 860MHZ ΝΙ-1230
|
NXP USA Inc.
|
|
|
|
|
|
AFT09MS031NR1 |
FET RF 40V 870MHZ -270-2
|
NXP USA Inc.
|
|
|
|
|
|
MRFE6VP100HR5 |
Ραδιοφωνικό MOSFET LDMOS 50V NI780-4
|
NXP USA Inc.
|
|
|
|
|
|
MRFE6S9060NR1 |
FET RF 66V 880MHZ TO270-2
|
NXP USA Inc.
|
|
|
|
|
|
ΑΡF460AG |
Ειδικότερα, η μέθοδος αυτή δεν μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την παραγωγή ηλεκτρικής ενέργειας από ηλ
|
Τεχνολογία μικροτσίπ
|
|
|
|
|
|
AFT27S006NT1 |
Ραδιοφωνικό MOSFET LDMOS 28V PLD1.5W
|
NXP USA Inc.
|
|
|
|
|
|
MRFE6VP6300HR5 |
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4
|
NXP USA Inc.
|
|
|
|
|
|
Pd55003l-ε |
ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΙΑ RF 5X5 POWERFLAT
|
STMικροηλεκτρονική
|
|
|
|
|
|
ΑΦΤ27S010NT1 |
Διάταξη του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 715/2009
|
NXP USA Inc.
|
|
|
|
|
|
PD55003TR-E |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
|
STMικροηλεκτρονική
|
|
|