Φίλτρα
Φίλτρα
Ιδιαίτεροι ημιαγωγοί
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | κατασκευαστής | Απόθεμα | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDN5630 |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
DMN2050L-7 |
MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3
|
Διακόσμιοι ενσωματωμένοι
|
|
|
|
|
|
FDG316P |
MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
ZXM61N03FTA |
Ειδικότερα, η μέθοδος αυτή δεν μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την παραγωγή ηλεκτρικών συσσωρευτών.
|
Διακόσμιοι ενσωματωμένοι
|
|
|
|
|
|
NTD5867NLT4G |
Δοκιμαστική μονάδα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NTD3055L104T4G |
MOSFET ν-CH 60V 12A DPAK
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
ZXMP6A13FQTA |
MOSFET P-CH 60V 0,9A SOT23-3
|
Διακόσμιοι ενσωματωμένοι
|
|
|
|
|
|
FDMA520PZ |
MOSFET P-CH 20V 7.3A MLP2X2
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
DMP10H400SK3-13 |
MOSFET P-CH 100V 9A TO252
|
Διακόσμιοι ενσωματωμένοι
|
|
|
|
|
|
IRFL4315TRPBF |
MOSFET ν-CH 150V 2.6A SOT223
|
Ινφίνιον Τεχνολογίες
|
|
|
|
|
|
FQD11P06TM |
MOSFET π-CH 60V 9.4A DPAK
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
CSD19534Q5A |
MOSFET N-CH 100V 50 8SON
|
Τεξας Instruments
|
|
|
|
|
|
IRF7820TRPBF |
MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
|
Ινφίνιον Τεχνολογίες
|
|
|
|
|
|
FDS3672 |
MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
IRFR6215TRPBF |
Δοκιμαστική μονάδα
|
Ινφίνιον Τεχνολογίες
|
|
|
|
|
|
ZXMP10A18KTC |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
Διακόσμιοι ενσωματωμένοι
|
|
|
|
|
|
FDS2572 |
MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
ZXMP10A18GTA |
MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
|
Διακόσμιοι ενσωματωμένοι
|
|
|
|
|
|
FDS6681Z |
MOSFET P-CH 30V 20A 8-SO
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
Δελτίο ΕΚΑΧ αριθ. |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
IRF5210STRLPBF |
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
|
Ινφίνιον Τεχνολογίες
|
|
|
|
|
|
FQB55N10TM |
Δοκιμαστική μονάδα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDB44N25TM |
MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDB8441 |
Δοκιμαστική μονάδα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDB3632 |
MOSFET ν-CH 100V 80A D2PAK
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDB075N15A |
Δοκιμαστική μονάδα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FQP3P50 |
MOSFET P-CH 500V 2.7A έως 220
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FQPF47P06 |
MOSFET P-CH 60V 30A έως 220F
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
STW15NK90Z |
MOSFET N-CH 900V 15A έως 247
|
STMικροηλεκτρονική
|
|
|
|
|
|
FCH041N60E |
MOSFET N CH 600V 77A έως 247
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
DMN6140LQ-7 |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
Διακόσμιοι ενσωματωμένοι
|
|
|
|
|
|
SI3443DV |
MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDC654P |
MOSFET P-CH 30V 3.6A SSOT-6
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
DMP3056LSS-13 |
MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-SOIC
|
Διακόσμιοι ενσωματωμένοι
|
|
|
|
|
|
Το FDT1600N10ALZ |
MOSFET N-CH 100V SOT-223-4
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
Dmn6040svt-7 |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
Διακόσμιοι ενσωματωμένοι
|
|
|
|
|
|
FDS9431Α |
MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
DMP4050SSS-13 |
MOSFET P-CH 40V 4.4A 8SO
|
Διακόσμιοι ενσωματωμένοι
|
|
|
|
|
|
FDD6N20TM |
Δοκιμαστική μονάδα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
NTD20P06LT4G |
Δοκιμαστική μονάδα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDD8896 |
Δοκιμαστικό υλικό
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FQD12N20LTM |
Δοκιμαστική μονάδα
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
ΡΑΔ16Ν05SM9Α |
MOSFET N-CH 50V 16A έως 252AA
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FCD5N60TM |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDS3580 |
MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
IRLI540NPBF |
MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP
|
Ινφίνιον Τεχνολογίες
|
|
|
|
|
|
STW69N65M5 |
MOSFET N-CH 650V 58A έως 247
|
STMικροηλεκτρονική
|
|
|
|
|
|
IRL40SC228 |
Δοκιμαστικό σύστημα
|
Ινφίνιον Τεχνολογίες
|
|
|
|
|
|
STV270N4F3 |
MOSFET N-CH 40V 270A POWERSO-10
|
STMικροηλεκτρονική
|
|
|
|
|
|
IRF7854TRPBF |
MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC
|
Ινφίνιον Τεχνολογίες
|
|
|