Φίλτρα
Φίλτρα
Τρανζίστορ
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | κατασκευαστής | Απόθεμα | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN601TK-7 |
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
|
Διακόσμιοι ενσωματωμένοι
|
|
|
|
|
|
DMP6185SE-13 |
MOSFET PCH 60V 3A SOT223
|
Διακόσμιοι ενσωματωμένοι
|
|
|
|
|
|
NTLJS4114NT1G |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDS6630Α |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
DMP6180SK3-13 |
MOSFET P-CH 60V 14A TO252
|
Διακόσμιοι ενσωματωμένοι
|
|
|
|
|
|
FDD7N20TM |
Δοκιμαστική συσκευή
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
IPD50N04S4L-08 |
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
|
Ινφίνιον Τεχνολογίες
|
|
|
|
|
|
FDD306P |
MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FQD8P10TM |
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
BS170 |
MOSFET N-CH 60V 500MA έως 92
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
STD44N4LF6 |
Δοκιμαστική μονάδα
|
STMικροηλεκτρονική
|
|
|
|
|
|
FDD3860 |
Δοκιμαστική ενέργεια
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
FDS86267P |
MOSFET P-CH 150V
|
ΟΝΣΕΜΙ
|
|
|
|
|
|
IRFB7545PBF |
MOSFET N CH 60V 95A έως 220AB
|
Ινφίνιον Τεχνολογίες
|
|
|
|
|
|
IRF100S201 |
MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
|
Ινφίνιον Τεχνολογίες
|
|
|
|
|
|
IRFB7430PBF |
MOSFET N CH 40V 195A TO220
|
Ινφίνιον Τεχνολογίες
|
|
|
|
|
|
AUIRF5210STRL |
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
|
Ινφίνιον Τεχνολογίες
|
|
|
|
|
|
IRFU3607PBF |
Ειδικότερα, οι ενδείξεις που αναφέρονται στην παράγραφο 1 πρέπει να λαμβάνονται υπόψη.
|
Ινφίνιον Τεχνολογίες
|
|
|
|
|
|
IRFSL3306PBF |
MOSFET N-CH 60V 120A έως 262
|
Ινφίνιον Τεχνολογίες
|
|
|
|
|
|
IRFR4510TRPBF |
Δοκιμαστική μονάδα
|
Ινφίνιον Τεχνολογίες
|
|
|
|
|
|
AUIRF4905 |
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
|
Ινφίνιον Τεχνολογίες
|
|
|
|
|
|
IRF300P226 |
MOSFET IFX OPTIMOS TO247
|
Ινφίνιον Τεχνολογίες
|
|
|
|
|
|
IRFB3006GPBF |
MOSFET ν-CH 60V 195A TO220AB
|
Ινφίνιον Τεχνολογίες
|
|
|
|
|
|
2SK2837 |
Τύπος MOS του καναλιού N του πυριτίου (π−MOSV)
|
Ημιαγωγός Toshiba
|
|
|
|
|
|
2sk2225-ε |
MOSFET 2A, 1500V, TO-3PFM, χωρίς Pb
|
Ηλεκτρονική Renesas
|
|
|
|
|
|
SQS401EN-T1-GE3 |
MOSFET 40V 16A 62.5W P-Ch Αυτοκινήτου
|
Vishay Ημιαγωγούς
|
|
|
|
|
|
ΙΧFN180N10 |
MOSFET 180 Άμπερες 100V 0,008 Rds
|
ΙΧΥΣ
|
|
|
|
|
|
ΙΧFN230N10 |
MOSFET 230 Άμπερες 100V 0,006 Rds
|
ΙΧΥΣ
|
|
|
|
|
|
HAT2160H-EL-E |
ΜΟΣΦΕΤ ΜΟΣΦΕΤ
|
Ηλεκτρονική Renesas
|
|
|
|
|
|
ΙΧFΒ50N80Q2 |
MOSFET 50 Άμπερες 800V
|
ΙΧΥΣ
|
|
|
|
|
|
NX138AKSX |
Ειδικότερα, η μέθοδος αυτή χρησιμοποιείται για την ανάλυση των επιπτώσεων της αλκοολικής αλκοολικής
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
ΙΧFN73N30 |
MOSFET 300V 73A
|
ΙΧΥΣ
|
|
|
|
|
|
CSD88537ND |
ΜΟΣΦΕΤ 60 V Δύο κανάλια N MOSFET ισχύος
|
Τεξας Instruments
|
|
|
|
|
|
ΙΧFH20N100P |
MOSFET 20 Άμπερες 1000V 1 Rds
|
ΙΧΥΣ
|
|
|
|
|
|
PMZB290UNE2YL |
MOSFET 20V N-Channel Trench MOSFET
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
Δοκιμαστικό σύστημα |
MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
Ινφίνιον Τεχνολογίες
|
|
|
|
|
|
Si4816bdy-T1-GE3 |
MOSFET Dua IN-Ch w/Schottky 30V 18,5/11,5 μm
|
Vishay Ημιαγωγούς
|
|
|
|
|
|
SPW20N60C3 |
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3
|
Ινφίνιον Τεχνολογίες
|
|
|
|
|
|
FDP33N25 |
MOSFET 250V N-Channel MOSFET
|
Ημιαγωγός Fairchild
|
|
|
|
|
|
Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚ |
MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6
|
Ινφίνιον Τεχνολογίες
|
|
|
|
|
|
IPP60R099P6 |
ΑΠΟΤΕΛΕΣΗ/ΕΠΙΔΕΣΜΑΤΙΚΗ του MOSFET για υψηλή ισχύ
|
Ινφίνιον Τεχνολογίες
|
|
|
|
|
|
FQA9N90C |
MOSFET 900V N-Channel QFET
|
Ημιαγωγός Fairchild
|
|
|
|
|
|
FDS89161LZ |
MOSFET PT5 100V λογικό επίπεδο με Zener
|
Ημιαγωγός Fairchild
|
|
|
|
|
|
IRFL014TRPBF |
MOSFET N-Chan 60V 2,7 Amp
|
Vishay Ημιαγωγούς
|
|
|
|
|
|
DMHC3025LSD-13 |
MOSFET 30V Comp ENH Mode H-Bridge 20V VGSS
|
Διακόσμιοι ενσωματωμένοι
|
|
|
|
|
|
IXFK66N85X |
MOSFET 850V Ultra Junction MOSFET κατηγορίας X
|
ΙΧΥΣ
|
|
|
|
|
|
IXTK82N25P |
MOSFET 82 Άμπερες 250V 0.035 Rds
|
ΙΧΥΣ
|
|
|
|
|
|
Δελτίο ΕΚΑΧ της 10ης Ιουνίου 2006. |
MOSFET N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
Ινφίνιον Τεχνολογίες
|
|
|
|
|
|
FQP6N40C |
MOSFET 400V N-Ch Q-FET προηγμένη σειρά C
|
Ημιαγωγός Fairchild
|
|
|
|
|
|
2N7002BKS,115 |
MOSFET Δύο κανάλια N 60V 300mA
|
Nexperia
|
|
|