ΤC58CVG2S0HRAIG
Προδιαγραφές
Κατηγορία προϊόντων:
Φλας μνήμη
Τύπος μνήμης:
NAND
Στυλ εγκατάστασης:
Δοκιμαστική συσκευή
Τετάρτη, Ιανουαρίου:
3.6 V
Μέγεθος μνήμης:
4 Gbit
συσκευασία:
Τραπέζι
Η τάση τροφοδοσίας - Min:
2.7 Β
Πακέτο / Κουτί:
Wson-8
Τύπος διεπαφής:
ΠΕΠ
Περιοχή θερμοκρασίας λειτουργίας:
- 40 Γ + σε 85 Γ
ΓΙΑΡΙΑ:
9,6 ns
Κατασκευαστής:
Τόσιμπα
Εισαγωγή
Το TC58CVG2S0HRAIG,από την Toshiba,είναι Flash Memory.Αυτό που προσφέρουμε έχει ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά,που είναι σε πρωτότυπα και νέα μέρη.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να ζητήσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Related Products

ΤC58NVG3S0FTA00
Flash Memory 8Gb 3.3V SLC NAND Flash Memory EEPROM

ΤΑΓΜΦΓ7C1LBAIL
Flash Memory 16GB NAND EEPROM

ΤC58NVG2S3ETA00
Flash Memory 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM

ΤΑΒΜΔΓ5Δ1ΛΒΑΙΛ
Flash Memory 4GB NAND EEPROM

THGBMHG8C2LBAIL
Flash Memory 32GB NAND EEPROM w/CQ

ΤC58NVG1S3ETAI0
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM

ΤΑΓΜΦΓ6C1LBAIL
Flash Memory 8GB NAND EEPROM

THGBMHG7C1LBAIL
Flash Memory 16GB NAND EEPROM w/CQ

TC58NVG1S3ETA00
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM

ΤΟ58NVG4S0FTA20
Flash Memory 3.3V 16Gbit NAND EEPROM
Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
---|---|---|---|
![]() |
ΤC58NVG3S0FTA00 |
Flash Memory 8Gb 3.3V SLC NAND Flash Memory EEPROM
|
|
![]() |
ΤΑΓΜΦΓ7C1LBAIL |
Flash Memory 16GB NAND EEPROM
|
|
![]() |
ΤC58NVG2S3ETA00 |
Flash Memory 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
|
|
![]() |
ΤΑΒΜΔΓ5Δ1ΛΒΑΙΛ |
Flash Memory 4GB NAND EEPROM
|
|
![]() |
THGBMHG8C2LBAIL |
Flash Memory 32GB NAND EEPROM w/CQ
|
|
![]() |
ΤC58NVG1S3ETAI0 |
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
|
|
![]() |
ΤΑΓΜΦΓ6C1LBAIL |
Flash Memory 8GB NAND EEPROM
|
|
![]() |
THGBMHG7C1LBAIL |
Flash Memory 16GB NAND EEPROM w/CQ
|
|
![]() |
TC58NVG1S3ETA00 |
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
|
|
![]() |
ΤΟ58NVG4S0FTA20 |
Flash Memory 3.3V 16Gbit NAND EEPROM
|
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: