THGBMDG5D1LBAIT
κατασκευαστής:
Τόσιμπα
Περιγραφή:
NAND EEPROM αστραπιαίας σκέψης 4GB
Κατηγορία:
Ημιαγωγοί
Προδιαγραφές
Κατηγορία προϊόντων:
Φλας μνήμη
Στυλ εγκατάστασης:
Δοκιμαστική συσκευή
Πακέτο / Κουτί:
Fbga-153
Τετάρτη, Ιανουαρίου:
3.6 V
Μέγεθος μνήμης:
4 ΜΒ
συσκευασία:
Τραπέζι
Η τάση τροφοδοσίας - Min:
2.7 Β
Τύπος μνήμης:
NAND
Περιοχή θερμοκρασίας λειτουργίας:
- 25 Γ + σε 85 Γ
Κατασκευαστής:
Τόσιμπα
Εισαγωγή
Το THGBMDG5D1LBAIT,από την Toshiba,είναι Flash Memory.Αυτό που προσφέρουμε έχει ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά,που είναι σε πρωτότυπα και νέα μέρη.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να ζητήσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Related Products
ΤC58NVG3S0FTA00
Flash Memory 8Gb 3.3V SLC NAND Flash Memory EEPROM
ΤΑΓΜΦΓ7C1LBAIL
Flash Memory 16GB NAND EEPROM
ΤC58NVG2S3ETA00
Flash Memory 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
ΤΑΒΜΔΓ5Δ1ΛΒΑΙΛ
Flash Memory 4GB NAND EEPROM
THGBMHG8C2LBAIL
Flash Memory 32GB NAND EEPROM w/CQ
ΤC58NVG1S3ETAI0
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
ΤΑΓΜΦΓ6C1LBAIL
Flash Memory 8GB NAND EEPROM
THGBMHG7C1LBAIL
Flash Memory 16GB NAND EEPROM w/CQ
TC58NVG1S3ETA00
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
ΤΟ58NVG4S0FTA20
Flash Memory 3.3V 16Gbit NAND EEPROM
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
ΤC58NVG3S0FTA00 |
Flash Memory 8Gb 3.3V SLC NAND Flash Memory EEPROM
|
|
|
|
ΤΑΓΜΦΓ7C1LBAIL |
Flash Memory 16GB NAND EEPROM
|
|
|
|
ΤC58NVG2S3ETA00 |
Flash Memory 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
|
|
|
|
ΤΑΒΜΔΓ5Δ1ΛΒΑΙΛ |
Flash Memory 4GB NAND EEPROM
|
|
|
|
THGBMHG8C2LBAIL |
Flash Memory 32GB NAND EEPROM w/CQ
|
|
|
|
ΤC58NVG1S3ETAI0 |
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
|
|
|
|
ΤΑΓΜΦΓ6C1LBAIL |
Flash Memory 8GB NAND EEPROM
|
|
|
|
THGBMHG7C1LBAIL |
Flash Memory 16GB NAND EEPROM w/CQ
|
|
|
|
TC58NVG1S3ETA00 |
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
|
|
|
|
ΤΟ58NVG4S0FTA20 |
Flash Memory 3.3V 16Gbit NAND EEPROM
|
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: