ΔΕΠ-G26S
Προδιαγραφές
Κατηγορία:
Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών
Διοί
Διορθωτικά
Μοναδικές διόδους
Κατάσταση του προϊόντος:
Παρωχημένο
Τρέχων - Αντίστροφη διαρροή @ Vr:
100 μA @ 600 V
Τύπος στερέωσης:
Μέσα από την τρύπα
Η τάση - προς τα εμπρός (Vf) (μέγιστη):
1.7 Β @ 10 Α
πακέτο:
Τύπος
Σειρά:
-
Δυνατότητα @ Vr, F:
-
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή:
-220f-2L
Χρόνος ανάκτησης αντίστροφης (trr):
50 ns
Δρ.:
Sanken Electric USA Inc.
Τεχνολογία:
Τύπος
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεσμος:
-40°C ~ 150°C
Πακέτο / Κουτί:
-220-2 πλήρες πακέτο
Η τάση - αντίστροφη συνεχής (Vr) (μέγιστη):
600 V
Σήμερα - Μέσος όρος διορθωμένος (ΙΟ):
10Α
ΓΙΑΡΙΑ:
Ταχεία ανάκτηση =< 500ns, > 200mA (Io)
Εισαγωγή
Δίοδος 600 V 10A μέσω τρύπας TO-220F-2L
Related Products

FMY-1106S
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F

SJPB-H9VL
DIODE SCHOTTKY 90V 2A SJP

SJPL-H2VL
DIODE GEN PURP 200V 2A SJP

SJPB-H6VR
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SJP

SARS01V1
DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL

SJPX-F2VR
DIODE GEN PURP 200V 1.5A SJP

SARS05VL
DIODE GEN PURP 800V 1A SMD
Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
---|---|---|---|
![]() |
FMY-1106S |
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
|
|
![]() |
SJPB-H9VL |
DIODE SCHOTTKY 90V 2A SJP
|
|
![]() |
SJPL-H2VL |
DIODE GEN PURP 200V 2A SJP
|
|
![]() |
SJPB-H6VR |
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SJP
|
|
![]() |
SARS01V1 |
DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL
|
|
![]() |
SJPX-F2VR |
DIODE GEN PURP 200V 1.5A SJP
|
|
![]() |
SARS05VL |
DIODE GEN PURP 800V 1A SMD
|
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
-->