Να στείλετε μήνυμα

ΣΚΤ3030ΚΛGC11

κατασκευαστής:
Ημιαγωγός Rohm
Περιγραφή:
SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
Κατηγορία:
Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών
Προδιαγραφές
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.6V @ 13.3mA
Θερμοκρασία λειτουργίας:
175°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Τεχνική διάταξη:
131 nC @ 18 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
39mOhm @ 27A, 18V
Τύπος FET:
N-Κανάλι
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
18V
πακέτο:
Τύπος
Drain to Source Voltage (Vdss):
1200 V
Vgs (Max):
+22V, -4V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2222 pF @ 800 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-247N
Mfr:
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
72A (Tc)
Power Dissipation (Max):
339W (Tc)
Technology:
SiCFET (Silicon Carbide)
Base Product Number:
SCT3030
Εισαγωγή
N-Κανάλι 1200 V 72A (Tc) 339W (Tc) Μέσα από τρύπα TO-247N
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: