Να στείλετε μήνυμα

ΙΧTN102N65X2

κατασκευαστής:
ΙΧΥΣ
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 76A SOT227
Κατηγορία:
Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών
Προδιαγραφές
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Package / Case:
SOT-227-4, miniBLOC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
152 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
30mOhm @ 51A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
650 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
10900 pF @ 25 V
Mounting Type:
Chassis Mount
Series:
Ultra X2
Supplier Device Package:
SOT-227
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
76A (Tc)
Power Dissipation (Max):
595AW (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTN102
Εισαγωγή
Διάδρομος 650 V 76A (Tc) 595AW (Tc) Σασί SOT-227
Συγγενικά προϊόντα
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: