IXTK110N20L2
Προδιαγραφές
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 3mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-264-3, TO-264AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
500 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
24mOhm @ 55A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
200 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
23000 pF @ 25 V
Τύπος στερέωσης:
Μέσα από την τρύπα
Series:
Linear L2™
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή:
ΤΟ-264 (IXTK)
Mfr:
IXYS
ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C:
110A (TC)
Power Dissipation (Max):
960W (Tc)
Τεχνολογία:
MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Base Product Number:
IXTK110
Εισαγωγή
Διάδρομος N 200 V 110A (Tc) 960W (Tc) Μέσα από τρύπα TO-264 (IXTK)
Related Products

IXFK120N20
MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA

IXFK27N80
MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA

ΙΧFH20N80Q
MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD

IXFH15N80
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD

IXFH26N50Q
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD

IXFH12N90
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD

IXFH13N50
MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD

ΙΧFN32N120P
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

ΙΧFN32N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B

ΙΧFN36N100
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
---|---|---|---|
![]() |
IXFK120N20 |
MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
|
|
![]() |
IXFK27N80 |
MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA
|
|
![]() |
ΙΧFH20N80Q |
MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
|
|
![]() |
IXFH15N80 |
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
|
|
![]() |
IXFH26N50Q |
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
|
|
![]() |
IXFH12N90 |
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
|
|
![]() |
IXFH13N50 |
MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD
|
|
![]() |
ΙΧFN32N120P |
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
|
|
![]() |
ΙΧFN32N100Q3 |
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
|
|
![]() |
ΙΧFN36N100 |
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
|
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: