Να στείλετε μήνυμα

ΙΧFN180N15P

κατασκευαστής:
ΙΧΥΣ
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B
Κατηγορία:
Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών
Προδιαγραφές
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 4mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
SOT-227-4, miniBLOC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
240 nC @ 10 V
Επικεφαλής (Max) @ Id, Vgs:
11mOhm @ 90A, 10V
FET Type:
N-Channel
Τετάρτη, 15 Ιανουαρίου 2019:
10V
Package:
Box
Τεχνική μέθοδος:
150 V
Vgs (Max):
±20V
Κατάσταση του προϊόντος:
Ενεργός
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
7000 pF @ 25 V
Mounting Type:
Chassis Mount
Series:
HiPerFET™, Polar
Supplier Device Package:
SOT-227B
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
150A (Tc)
Power Dissipation (Max):
680W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFN180
Εισαγωγή
Διάδρομος N 150 V 150A (Tc) 680W (Tc) Σασί Mount SOT-227B
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: