Να στείλετε μήνυμα

ΙΧFN100N50P

κατασκευαστής:
ΙΧΥΣ
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
Κατηγορία:
Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών
Προδιαγραφές
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 8mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
SOT-227-4, miniBLOC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
240 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
49mOhm @ 50A, 10V
Τύπος FET:
N-Κανάλι
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Πακέτο:
Τύπος
Drain to Source Voltage (Vdss):
500 V
Vgs (μέγιστο):
±30V
Product Status:
Active
Δυνατότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:
20000 pF @ 25 V
Mounting Type:
Chassis Mount
Series:
HiPerFET™, Polar
Supplier Device Package:
SOT-227B
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
90A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1040W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFN100
Εισαγωγή
Διάδρομος N 500 V 90A (Tc) 1040W (Tc) Σασί Mount SOT-227B
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: