Να στείλετε μήνυμα

ΙΧFH52N50P2

κατασκευαστής:
ΙΧΥΣ
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 52A TO247AD
Κατηγορία:
Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών
Προδιαγραφές
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 4mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
113 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
120mOhm @ 26A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
500 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
6800 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HiPerFET™, PolarP2™
Supplier Device Package:
TO-247AD (IXFH)
Δρ.:
ΙΧΥΣ
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
52A (Tc)
Διασκεδασμός δύναμης (Max):
960W (TC)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Αριθμός βασικού προϊόντος:
IXFH52
Εισαγωγή
Διάδρομος N 500 V 52A (Tc) 960W (Tc) μέσω τρύπας TO-247AD (IXFH)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: