Να στείλετε μήνυμα

ΙΧFX66N85X

κατασκευαστής:
ΙΧΥΣ
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 850V 66A PLUS247-3
Κατηγορία:
Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών
Προδιαγραφές
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.5V @ 8mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3 Variant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
230 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
65mOhm @ 500mA, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
850 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
8900 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Σειρά:
HiPerFETTM, Ultra X
Supplier Device Package:
PLUS247™-3
Δρ.:
ΙΧΥΣ
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
66A (Tc)
Διασκεδασμός δύναμης (Max):
1250W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Αριθμός βασικού προϊόντος:
IXFX66
Εισαγωγή
N-Channel 850 V 66A (Tc) 1250W (Tc) Μέσα από τρύπα PLUS247TM-3
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: