Φίλτρα
Φίλτρα
Μνήμη
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | κατασκευαστής | Απόθεμα | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Μικροκατασκευαστική μονάδα |
IC DRAM 16G PARALLEL 1,2 GHz
|
Τεχνολογία Μικρών
|
|
|
|
|
|
MT4Α1G8WE-075Ε:Β |
IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHz
|
Τεχνολογία Μικρών
|
|
|
|
|
|
Μικροκατασκευαστική συσκευή |
IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHz
|
Τεχνολογία Μικρών
|
|
|
|
|
|
MT25QU256ABA1EW7-0SIT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WPDFN
|
Τεχνολογία Μικρών
|
|
|
|
|
|
MT35XU512ABA1G12-0AAT |
ΣΕΡΙΑΛΟΣ ΧΩΡΙΑ SLC 64MX8 TBGA
|
Τεχνολογία Μικρών
|
|
|
|
|
|
S29GL032N90FFIS42 |
Αστραπιαία σκέψη ούτε
|
Κύπρος ημιαγωγός
|
|
|
|
|
|
MTA36ASF4G72PZ-2G9E2 |
IC DRAM 288G PARALLEL 1467MHZ
|
Τεχνολογία Μικρών
|
|
|
|
|
|
ΤC58NVG2S3ETA00 |
Λάμψη τμηματικό EEPROM NAND αστραπιαίας σκέψης 4Gb 3.3V SLC
|
Τόσιμπα
|
|
|
|
|
|
MTFC16GAPALBH-AAT |
IC FLASH 128G MMC
|
Τεχνολογία Μικρών
|
|
|
|
|
|
ΤΑΒΜΔΓ5Δ1ΛΒΑΙΛ |
NAND EEPROM αστραπιαίας σκέψης 4GB
|
Τόσιμπα
|
|
|
|
|
|
THGBMHG8C2LBAIL |
Μνήμη Flash 32GB NAND EEPROM w/CQ
|
Τόσιμπα
|
|
|
|
|
|
ΜΜΕΠΟΥΛΟΓΙΚΗ ΔΙΚΑΛΗΤΗΤΗΣΗ |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
|
Τεχνολογία Μικρών
|
|
|
|
|
|
ΤC58NVG1S3ETAI0 |
Η μνήμη flash 1 GB 3.3 V SLC NAND Flash Serial EEPROM
|
Τόσιμπα
|
|
|
|
|
|
Mtfc32gapalbh-ait |
IC FLASH 256G MMC
|
Τεχνολογία Μικρών
|
|
|
|
|
|
ΜΜΕΤΑΙΟΣ ΕΠΙΤΡΟΠΟΙΚΟΥ |
IC FLASH 512G MMC
|
Τεχνολογία Μικρών
|
|
|
|
|
|
Mtfc64gapalbh-ait |
IC FLASH 512G MMC
|
Τεχνολογία Μικρών
|
|
|
|
|
|
MT25QU02GCBB8E12-0SIT |
IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA
|
Τεχνολογία Μικρών
|
|
|
|
|
|
IS25LQ040B-JNLE-TR |
Η αστραπιαία σκέψη 4Mb QSPI, 8 καρφώνει SOP 150Mil, RoHS, ET, T&R
|
ΔΕΣΙ
|
|
|
|
|
|
N25Q032A13ESE40F |
IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8SOP2
|
Τεχνολογία Μικρών
|
|
|
|
|
|
S34ML02G104TFI010 |
Φλας μνήμης 2G 3V 25ns NAND Flash
|
Κύπρος ημιαγωγός
|
|
|
|
|
|
MT25TL01GBBB8ESF-0AAT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 16SOP2
|
Τεχνολογία Μικρών
|
|
|
|
|
|
S34ML01G100TFI000 |
Λάμψη NAND αστραπιαίας σκέψης 1Gb 3V 25ns
|
Επεκτάσεις / Κύπρος
|
|
|
|
|
|
S34ML04G200TFI000 |
Αστραπιαία σκέψη 4G, 3V, λάμψη NAND 25ns
|
Κύπρος ημιαγωγός
|
|
|
|
|
|
Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ |
Η αστραπιαία σκέψη 4Mb QSPI, 8 καρφώνει SOP 208Mil, RoHS, ET, T&R
|
ΔΕΣΙ
|
|
|
|
|
|
S25FL164K0XMFI013 |
Αστραπιαία σκέψη 64M, 3.0V, παρουσίαση σε συνέχειες 108Mhz ΟΎΤΕ λάμψη
|
Κύπρος ημιαγωγός
|
|
|
|
|
|
IS25LQ512B-JNLE |
Η μνήμη flash 512Kb QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS, ET
|
ΔΕΣΙ
|
|
|
|
|
|
Is25lq040b-JNLE |
Μνήμη Flash 4 Mb QSPI, 8 ακίδων SOP 150 Mil, RoHS, ET
|
ΔΕΣΙ
|
|
|
|
|
|
W25Q32BVSSJG |
Μνήμη IC Flash 32MB
|
Ηλεκτρονικά Winbond
|
|
|
|
|
|
MT25QL128ABB8E12-0AUT |
IC FLASH 128M SPI 24TPBGA
|
Τεχνολογία Μικρών
|
|
|
|
|
|
S29PL032J70BFI120 |
Παράλληλος ΟΎΤΕ λάμψη αστραπιαίας σκέψης 32Mb 3V 70ns
|
Κύπρος ημιαγωγός
|
|
|
|
|
|
S34ML01G100BHI000 |
Λάμψη NAND αστραπιαίας σκέψης 1Gb 3V 25ns
|
Κύπρος ημιαγωγός
|
|
|
|
|
|
Κ9F5608U0D-PCB0 |
32M x 8 Bit NAND Flash μνήμη
|
Ημιαγωγός Samsung
|
|
|
|
|
|
Κ4Α8G085WB-BCPB |
8Gb B-die DDR4 SDRAM
|
Ημιαγωγός Samsung
|
|
|
|
|
|
K4a8g165wc-BCTD |
8Gb B-die DDR4 SDRAM x16
|
Ημιαγωγός Samsung
|
|
|
|
|
|
K4B4G0846Q-HYK0 |
DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Προδιαγραφή
|
Ημιαγωγός Samsung
|
|
|
|
|
|
K4T1G164QE-HCE7 |
1Gb E-die DDR2 SDRAM 60FBGA/84FBGA χωρίς μόλυβδο και χωρίς αλογόντα (συμμόρφωση με το RoHS)
|
Ημιαγωγός Samsung
|
|
|
|
|
|
S25FL127SABBHIC00 |
Η μνήμη flash 128MB 3V 108MHz Serial NOR Flash
|
Επεκτάσεις / Κύπρος
|
|
|
|
|
|
K9GAG08U0E-SCB0 |
16Gb E-die NAND Flash
|
Ημιαγωγός Samsung
|
|
|
|
|
|
Κ4G20325FD-FC03 |
Γραφική μνήμη
|
Ημιαγωγός Samsung
|
|
|
|
|
|
K4G41325FE-HC28 |
Γραφική μνήμη
|
Ημιαγωγός Samsung
|
|
|
|
|
|
K4E6E304EE-EGCF |
Ic μνήμης
|
Ημιαγωγός Samsung
|
|
|
|
|
|
S29WS512P0SBFW000 |
Παράλληλος ΟΎΤΕ λάμψη αστραπιαίας σκέψης 512Mb 1.8V 80Mhz
|
Επεκτάσεις / Κύπρος
|
|
|
|
|
|
S29WS256P0PBFW000 |
Μνήμη Flash 256Mb 1.8V 66Mhz Παράλληλη ΟΥΤΕ Flash
|
Επεκτάσεις / Κύπρος
|
|
|
|
|
|
S29GL032N90TFI030 |
Φλας μνήμη 3V 32Mb πλωτή πύλη δύο διεύθυνση 90s
|
Κύπρος ημιαγωγός
|
|
|
|
|
|
S29GL064N90TFI010 |
Παράλληλος ΟΎΤΕ λάμψη αστραπιαίας σκέψης 64Mb 3V 90ns
|
Κύπρος ημιαγωγός
|
|
|
|
|
|
IS42S16320B-6TL |
DRAM 512M (32Mx16) 166MHz SDR SDRAM, 3.3V
|
ΔΕΣΙ
|
|
|
|
|
|
MT25QL01GBBB8E12-0SIT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
|
Τεχνολογία Μικρών
|
|
|
|
|
|
Mt25ql128aba1ese-MSIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOP2
|
Τεχνολογία Μικρών
|
|
|
|
|
|
IS43TR16128AL-125KBL |
DRAM 2G 1.35V (128M x 16) DDR3 SDRAM
|
ΔΕΣΙ
|
|
|
|
|
|
K4B1G1646G-BCH9 |
Ειδικότητα 1Gb D-die DDR3 SDRAM
|
Ημιαγωγός Samsung
|
|
|