logo
Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > Μνήμη
Φίλτρα
Φίλτρα

Μνήμη

Εικόναμέρος #ΠεριγραφήκατασκευαστήςΑπόθεμαRFQ
Κ4G80325FB-HC25

Κ4G80325FB-HC25

Γραφική μνήμη
Ημιαγωγός Samsung
M29DW128G70NF6E

M29DW128G70NF6E

NOR Flash Parallel 128Mbit 16 56/56
STMικροηλεκτρονική
IS41LV16100C-50KLI-TR

IS41LV16100C-50KLI-TR

DRAM 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM Ασύγχρονη
ΔΕΣΙ
IS43TR16256AL-15HBLI

IS43TR16256AL-15HBLI

DRAM 4G, 1.35V, 1333Mhz DDR3L SDAM
ΔΕΣΙ
S29CD016J0PQAM113

S29CD016J0PQAM113

Αστραπιαία σκέψη ούτε
Κύπρος ημιαγωγός
IS43TR16640A-125JBLI

IS43TR16640A-125JBLI

DRAM 1G, 1.5V, (64M x 16) 1600Mhz DDR3 SDRAM
ΔΕΣΙ
IS41C16100C-50KLI

IS41C16100C-50KLI

DRAM 16M, 5V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM Async
ΔΕΣΙ
IS43TR16128B-15HBLI

IS43TR16128B-15HBLI

DRAM 2G, 1.5V, 1333MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
ΔΕΣΙ
Ειδικότερα:

Ειδικότερα:

DRAM 2G, 1.5V, 1600MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
ΔΕΣΙ
IS43TR16256A-125KBLI

IS43TR16256A-125KBLI

DRAM 4G, 1.5V, 1600Mhz DDR3 SDRAM
ΔΕΣΙ
IS43TR16256AL-125KBL

IS43TR16256AL-125KBL

DRAM 4G, 1.35V, 1600Mhz DDR3L SDAM
ΔΕΣΙ
S29GL128N90FFAR22

S29GL128N90FFAR22

Αστραπιαία σκέψη ούτε
Κύπρος ημιαγωγός
ΤΑΓΜΦΓ6C1LBAIL

ΤΑΓΜΦΓ6C1LBAIL

Φλας μνήμη 8GB NAND EEPROM
Τόσιμπα
S29GL032N90FFIS30

S29GL032N90FFIS30

Παράλληλος ΟΎΤΕ λάμψη αστραπιαίας σκέψης 32Mb 3V 90ns
Κύπρος ημιαγωγός
ΤC58BVG1S3HTAI0

ΤC58BVG1S3HTAI0

EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS και NAND EEPROM
Τόσιμπα
THGBMHG7C1LBAIL

THGBMHG7C1LBAIL

Μνήμη Flash 16 GB NAND EEPROM με CQ
Τόσιμπα
S70FL256P0XMFI001

S70FL256P0XMFI001

Αστραπιαία σκέψη 256M, 3.0V, 104Mhz SPI ΟΎΤΕ λάμψη
Κύπρος ημιαγωγός
S25FL116K0XMFI041

S25FL116K0XMFI041

Αστραπιαία σκέψη 16M, 3V, παρουσίαση σε συνέχειες 108Mhz ΟΎΤΕ λάμψη
Κύπρος ημιαγωγός
Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ

Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ

Φλας μνήμη 2Mb QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS, ET, T&R
ΔΕΣΙ
Is25lq032b-JBLE

Is25lq032b-JBLE

Καρφίτσα 32M SPI, 8 SOP 208mil αστραπιαίας σκέψης ET 2.3-3.6V
ΔΕΣΙ
TC58NVG1S3HBAI4

TC58NVG1S3HBAI4

EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS και NAND EEPROM
Τόσιμπα
ΤC58NVG2S0HBAI4

ΤC58NVG2S0HBAI4

EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS και NAND EEPROM
Τόσιμπα
TC58BVG0S3HTAI0

TC58BVG0S3HTAI0

EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS και EEPROM NAND
Τόσιμπα
S29JL032J70TFI220

S29JL032J70TFI220

Παράλληλος λάμψης 3.0V 70ns αστραπιαίας σκέψης 32MB ΟΎΤΕ λάμψη
Κύπρος ημιαγωγός
S34MS04G100BHI000

S34MS04G100BHI000

Flash Memory 4G, 1.8V, 45ns NAND Flash
Επεκτάσεις / Κύπρος
S34ML01G200BHV000

S34ML01G200BHV000

NAND αστραπιαίας σκέψης
Κύπρος ημιαγωγός
S34MS01G100BHI000

S34MS01G100BHI000

Φλας μνήμης 1G, 1.8V, 45ns NAND Flash
Επεκτάσεις / Κύπρος
S29GL032N90TFI023

S29GL032N90TFI023

Παράλληλος ΟΎΤΕ λάμψη αστραπιαίας σκέψης 32MB 2.7-3.6V 90ns
Κύπρος ημιαγωγός
Is25wp016d-jule-TR

Is25wp016d-jule-TR

NOR Flash 16 Mb QSPI, 8-pin USON 2X3MM, RoHS, T&R
ΔΕΣΙ
TC58NVG1S3HTA00

TC58NVG1S3HTA00

EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS και NAND EEPROM
Τόσιμπα
ΤC58BVG1S3HTA00

ΤC58BVG1S3HTA00

EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS και NAND EEPROM
Τόσιμπα
TC58NVG0S3HTA00

TC58NVG0S3HTA00

EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS και EEPROM NAND
Τόσιμπα
ΤC58BVG2S0HTAI

ΤC58BVG2S0HTAI

EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS και NAND EEPROM
Τόσιμπα
Ειδικότερα, οι εν λόγω διατάξεις ισχύουν για τα οχήματα που χρησιμοποιούνται για την κατασκευή οχημάτων.

Ειδικότερα, οι εν λόγω διατάξεις ισχύουν για τα οχήματα που χρησιμοποιούνται για την κατασκευή οχημάτων.

DRAM 4G, 1.5V, 1600Mhz DDR3
ΔΕΣΙ
IS43TR16256A-107MBLI

IS43TR16256A-107MBLI

DRAM 4G, 1.5V, 1866MHz 256Mx16 DDR3 SDRAM
ΔΕΣΙ
IS43TR16128CL-125KBL

IS43TR16128CL-125KBL

DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V
ΔΕΣΙ
IS43TR16128B-15HBL

IS43TR16128B-15HBL

DRAM 2G, 1.5V, 1333MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
ΔΕΣΙ
IS43TR16512AL-125KBL

IS43TR16512AL-125KBL

DRAM DDR3L,8G,1.5V,RoHs 1600MT/s,512Mx16
ΔΕΣΙ
IS43DR16128B-25EBLI

IS43DR16128B-25EBLI

DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 400Mhz @ CL6, 84 μπάλες BGA (10.5mmx13.5mm) RoHS, IT
ΔΕΣΙ
IS43TR16256AL-125KBLI

IS43TR16256AL-125KBLI

DRAM 4G, 1.35V, 1600Mhz DDR3L SDAM
ΔΕΣΙ
IS46TR16128B-15HBLA1

IS46TR16128B-15HBLA1

DRAM Automotive (Tc: -40 έως +95C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 μπάλες BGA (9mm x1
ΔΕΣΙ
IS41LV16100C-50TLI

IS41LV16100C-50TLI

DRAM 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM Ασύγχρονη
ΔΕΣΙ
IS43TR16128BL-125KBL

IS43TR16128BL-125KBL

DRAM 2G, 1.35V, 1600MT/s 128Mx16 DDR3L SDRAM
ΔΕΣΙ
IS43TR16512AL-125KBLI

IS43TR16512AL-125KBLI

DRAM DDR3L,8G,1.35V, RoHs 1600MT/s,512Mx16, IT
ΔΕΣΙ
MT40A512M16TB-062E: J

MT40A512M16TB-062E: J

DRAM DDR4 8G 512Mx16 FBGA
Τεχνολογία Μικρών
S29GL512P11FFI020

S29GL512P11FFI020

Παράλληλος ΟΎΤΕ λάμψη αστραπιαίας σκέψης 512Mb 3V 110ns
Κύπρος ημιαγωγός
S25FL116K0XMFI011

S25FL116K0XMFI011

Αστραπιαία σκέψη 16M, 3V, παρουσίαση σε συνέχειες 108Mhz ΟΎΤΕ λάμψη
Κύπρος ημιαγωγός
TC58NVG1S3ETA00

TC58NVG1S3ETA00

Η μνήμη flash 1 GB 3.3 V SLC NAND Flash Serial EEPROM
Τόσιμπα
ΤΟ58NVG4S0FTA20

ΤΟ58NVG4S0FTA20

NAND EEPROM αστραπιαίας σκέψης 3.3V 16Gbit
Τόσιμπα
DS2432P+T&R

DS2432P+T&R

EEPROM
ADI / Analog Devices Inc.
16 17 18 19 20