Κ4G80325FB-HC25

κατασκευαστής:
Ημιαγωγός Samsung
Περιγραφή:
Γραφική μνήμη
Κατηγορία:
Ημιαγωγοί
Προδιαγραφές
ανανεώστε (μια σελίδα):
16K/32 ms
περικάλυμμα:
170FBGA
Κατηγορία προϊόντων:
Συνολικές κυκλικές μονάδες μνήμης
Δυναμικότητα:
8 ΜΒ
Δομές:
256M x 32
ΓΙΑΡΙΑ:
80,0 Gbps
Κατασκευαστής:
ημιαγωγός της Samsung
Εισαγωγή
Το K4G80325FB-HC25, από την Samsung Semiconductor, είναι Memory ICs. Αυτό που προσφέρουμε έχει ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά, τα οποία είναι σε πρωτότυπα και νέα μέρη.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να ζητήσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του “online chat” ή στείλτε μας μια προσφορά!
Συγγενικά προϊόντα
Εικόνα μέρος # Περιγραφή
K9F4G08U0B-PCB0

K9F4G08U0B-PCB0

512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory
K4S641632K-UC60

K4S641632K-UC60

64Mb K-die SDRAM
Κ9F2G08U0D-SCB0

Κ9F2G08U0D-SCB0

256M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9K8G08U0A-PIB0

K9K8G08U0A-PIB0

1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
ΚΛΕΓ8U1EM-B0B1

ΚΛΕΓ8U1EM-B0B1

Memory IC
Κ4Β2G1646F-BCK0

Κ4Β2G1646F-BCK0

96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free
K4h511638j-LCCC

K4h511638j-LCCC

512Mb C-die DDR SDRAM Specification
Κ9F1G08U0E-SCB0

Κ9F1G08U0E-SCB0

1Gb E-die NAND Flash
K4W1G1646E-HC12

K4W1G1646E-HC12

Graphic Memory
K4T1G084QF-BCF7

K4T1G084QF-BCF7

1Gb F-die DDR2 SDRAM
K4b4g1646d-BCMA

K4b4g1646d-BCMA

4Gb B-die DDR3 SDRAM Olny x16
Κ9F5608U0D-PCB0

Κ9F5608U0D-PCB0

32M x 8 Bit NAND Flash Memory
Κ4Α8G085WB-BCPB

Κ4Α8G085WB-BCPB

8Gb B-die DDR4 SDRAM
K4a8g165wc-BCTD

K4a8g165wc-BCTD

8Gb B-die DDR4 SDRAM x16
K4B4G0846Q-HYK0

K4B4G0846Q-HYK0

DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Specification
K4T1G164QE-HCE7

K4T1G164QE-HCE7

1Gb E-die DDR2 SDRAM 60FBGA/84FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant)
K9GAG08U0E-SCB0

K9GAG08U0E-SCB0

16Gb E-die NAND Flash
Κ4G20325FD-FC03

Κ4G20325FD-FC03

Graphic Memory
K4G41325FE-HC28

K4G41325FE-HC28

Graphic Memory
K4E6E304EE-EGCF

K4E6E304EE-EGCF

Memory IC
K4B1G1646G-BCH9

K4B1G1646G-BCH9

1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: