Κ4Β2G1646F-BCK0
κατασκευαστής:
Ημιαγωγός Samsung
Περιγραφή:
96FBGA χωρίς μόλυβδο και χωρίς αλογένια
Κατηγορία:
Ημιαγωγοί
Προδιαγραφές
πακέτο:
FBGA-96
Κατηγορία προϊόντων:
Συνολικές κυκλικές μονάδες μνήμης
Κατασκευαστής:
ημιαγωγός της Samsung
Εισαγωγή
Το K4B2G1646F-BCK0, από την Samsung Semiconductor, είναι Memory ICs. Αυτό που προσφέρουμε έχει ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά, τα οποία είναι σε πρωτότυπα και νέα μέρη.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να ζητήσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Related Products
K9F4G08U0B-PCB0
512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory
K4S641632K-UC60
64Mb K-die SDRAM
Κ9F2G08U0D-SCB0
256M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9K8G08U0A-PIB0
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
ΚΛΕΓ8U1EM-B0B1
Memory IC
K4h511638j-LCCC
512Mb C-die DDR SDRAM Specification
Κ9F1G08U0E-SCB0
1Gb E-die NAND Flash
K4W1G1646E-HC12
Graphic Memory
K4T1G084QF-BCF7
1Gb F-die DDR2 SDRAM
K4b4g1646d-BCMA
4Gb B-die DDR3 SDRAM Olny x16
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
K9F4G08U0B-PCB0 |
512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory
|
|
|
|
K4S641632K-UC60 |
64Mb K-die SDRAM
|
|
|
|
Κ9F2G08U0D-SCB0 |
256M x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
K9K8G08U0A-PIB0 |
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
ΚΛΕΓ8U1EM-B0B1 |
Memory IC
|
|
|
|
K4h511638j-LCCC |
512Mb C-die DDR SDRAM Specification
|
|
|
|
Κ9F1G08U0E-SCB0 |
1Gb E-die NAND Flash
|
|
|
|
K4W1G1646E-HC12 |
Graphic Memory
|
|
|
|
K4T1G084QF-BCF7 |
1Gb F-die DDR2 SDRAM
|
|
|
|
K4b4g1646d-BCMA |
4Gb B-die DDR3 SDRAM Olny x16
|
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: