K4W1G1646E-HC12
κατασκευαστής:
Ημιαγωγός Samsung
Περιγραφή:
Γραφική μνήμη
Κατηγορία:
Ημιαγωγοί
Προδιαγραφές
πακέτο:
BGA
Κατηγορία προϊόντων:
Συνολικές κυκλικές μονάδες μνήμης
Κατασκευαστής:
ημιαγωγός της Samsung
Εισαγωγή
Το K4W1G1646E-HC12,από την Samsung Semiconductor,είναι μνήμες IC.Αυτό που προσφέρουμε έχει ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά,που είναι σε πρωτότυπα και νέα εξαρτήματα.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να ζητήσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Related Products
K9F4G08U0B-PCB0
512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory
K4S641632K-UC60
64Mb K-die SDRAM
Κ9F2G08U0D-SCB0
256M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9K8G08U0A-PIB0
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
ΚΛΕΓ8U1EM-B0B1
Memory IC
Κ4Β2G1646F-BCK0
96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free
K4h511638j-LCCC
512Mb C-die DDR SDRAM Specification
Κ9F1G08U0E-SCB0
1Gb E-die NAND Flash
K4T1G084QF-BCF7
1Gb F-die DDR2 SDRAM
K4b4g1646d-BCMA
4Gb B-die DDR3 SDRAM Olny x16
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
K9F4G08U0B-PCB0 |
512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory
|
|
|
|
K4S641632K-UC60 |
64Mb K-die SDRAM
|
|
|
|
Κ9F2G08U0D-SCB0 |
256M x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
K9K8G08U0A-PIB0 |
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
ΚΛΕΓ8U1EM-B0B1 |
Memory IC
|
|
|
|
Κ4Β2G1646F-BCK0 |
96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free
|
|
|
|
K4h511638j-LCCC |
512Mb C-die DDR SDRAM Specification
|
|
|
|
Κ9F1G08U0E-SCB0 |
1Gb E-die NAND Flash
|
|
|
|
K4T1G084QF-BCF7 |
1Gb F-die DDR2 SDRAM
|
|
|
|
K4b4g1646d-BCMA |
4Gb B-die DDR3 SDRAM Olny x16
|
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: