Να στείλετε μήνυμα

ΣΥ2319CDS-T1-GE3

κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Κατηγορία:
Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών
Προδιαγραφές
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
21 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
77mOhm @ 3.1A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
595 pF @ 20 V
Mounting Type:
Surface Mount
Σειρά:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Δρ.:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
4.4A (Tc)
Διασκεδασμός δύναμης (Max):
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Αριθμός βασικού προϊόντος:
SI2319
Εισαγωγή
Π-Κανάλι 40 V 4.4A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Επιφανειακή επιφάνεια SOT-23-3 (TO-236)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: