Να στείλετε μήνυμα

IRFS9N60ATRLPBF

κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Κατηγορία:
Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών
Προδιαγραφές
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
49 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
750mOhm @ 5.5A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
600 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1400 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
D²PAK (TO-263)
Δρ.:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
9.2A (Tc)
Διασκεδασμός δύναμης (Max):
170W (TC)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Αριθμός βασικού προϊόντος:
IRFS9
Εισαγωγή
Διάδρομος N 600 V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Επιφανειακή επιφάνεια D2PAK (TO-263)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: