Να στείλετε μήνυμα

ΣΥ2369DS-T1-GE3

κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Κατηγορία:
Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών
Προδιαγραφές
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
36 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
29mOhm @ 5.4A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1295 pF @ 15 V
Τύπος στερέωσης:
Επεξεργασία επιφανείας
Series:
TrenchFET®
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C:
7.6Α (Tc)
Power Dissipation (Max):
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Τεχνολογία:
MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Base Product Number:
SI2369
Εισαγωγή
Π-Κανάλι 30 V 7.6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση SOT-23-3 (TO-236)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: