Να στείλετε μήνυμα

IRFD120PBF

κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Κατηγορία:
Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών
Προδιαγραφές
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
16 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
270mOhm @ 780mA, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
360 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
4-HVMDIP
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1.3A (Ta)
Power Dissipation (Max):
1.3W (Ta)
Τεχνολογία:
MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Base Product Number:
IRFD120
Εισαγωγή
N-Channel 100 V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Μέσα από τρύπα 4-HVMDIP
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: