Να στείλετε μήνυμα

ΣΙ2333CDS-T1-E3

κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Κατηγορία:
Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών
Προδιαγραφές
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Πακέτο / Κουτί:
ΤΟ-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
25 nC @ 4.5 V
Επικεφαλής (Max) @ Id, Vgs:
35mOhm @ 5.1A, 4.5V
FET Type:
P-Channel
Τετάρτη, 15 Ιανουαρίου 2019:
1.8V, 4.5V
πακέτο:
Ταινία και τροχό (TR) Τραπέζια κόψιμο (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
12 V
Vgs (Max):
±8V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1225 pF @ 6 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
7.1A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI2333
Εισαγωγή
Π-Κανάλι 12 V 7.1A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Επιφανειακή επιφάνεια SOT-23-3 (TO-236)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: