Να στείλετε μήνυμα

ΣΥ4090DY-T1-GE3

κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
Κατηγορία:
Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών
Προδιαγραφές
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.3V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
69 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
10mOhm @ 15A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
6V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2410 pF @ 50 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
8-SOIC
Mfr:
Vishay Siliconix
ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C:
19.7Α (Tc)
Power Dissipation (Max):
3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Τεχνολογία:
MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Base Product Number:
SI4090
Εισαγωγή
Διάδρομος N 100 V 19.7A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση 8-SOIC
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: